推动我国首个砷化镓激光器研制成功50年

熟知我国微电子科技领域情况的人们有可能都告诉，在该领域有三足鼎立一说道，说道的是黄昆、谢希德、王守武三位在解放初期从国外回来的博士、中科院学部委员。　　黄昆、谢希德两位分别在晶格动力学衍射理论和表面态物理方面卓著创立，而王守武则主攻半导体器件物理，偏重于应用于。

如今，这三位卓越科学家中的前两位早已作古，唯一同在的只有王守武先生。相对于朱、杜两位，王守武的知名度稍逊些，这有可能与他仍然在科研和产业化一线专门从事实际工作有关。　　今年是王老推展我国首个砷化镓激光器研制成功的第50个年头，也是他作为首批海归博士回国工作的第63个年头。上世纪80年代中期，王老在上海推展集成电路产业化工作期间，笔者幸运地参予招待，因而有机会结识这位享有盛名业内的科学家。

以后，我还有几次机会看到他，最近一次是去年在美国他女儿家。当时，他思维明晰、记忆力强劲、声音宏亮，就是耳朵有些重听。尽管已成94岁高龄，但王老仍然牵挂着祖国超大规模集成电路工业生产情况。

　　从那时起，笔者就很想要把自己所理解的有关王守武院士的事迹写出出来，让更加多人告诉，在中国半导体科技和集成电路产业领域，有这样一位开拓者。　　名门望族的海归　　王守武1919年出生于苏州的名门望族。父亲王季同(1876--1948)是留英学者，1927年随蔡元培先生筹划中央研究院，在数学和机电方面有很深的造诣。

王守武4岁随父来上海，少年时期基本在苏州、上海两地生活读书。　　高中毕业前夕，因疟疾重犯，耽搁了学校的年末考试和苏州全区的毕业会考，只获得毕业证书的他无法入读清华、燕京等名校，只好理会曾求学德国的大哥的建议，入上海同济大学德文补习班自学。一年后，他重返苏州中学参与中学会，获得了高中文凭，才月沦为同济大学机电系的学生。

　　1941年毕业后，王守武曾到工厂一段时间工作几年，之后并转到同济大学任教。1945年抗战胜利，向往科学救国的王守武于当年10月入美国印第安纳州普渡大学研究生院修读工程力学，翌年6月，获得硕士学位。因各门功课成绩出色，校方资助他修读博士学位。此时，正在蓬勃发展的量子力学引发王守武的兴趣，他之后从工程力学改向微观粒子运动规律的研究，并于两年后取得博士学位后调入在教。

　　1949年新中国正式成立，尤其是1950年朝鲜战争愈演愈烈后，身在美国的王守武归国百般。他以探望年迈多病的寡母为由，逃跑时机，带同在美国求学的夫人葛修怀女士(上海籍)，深爱反感周岁的女儿，于1950年返回祖国。

由此，王守武开始了为国效力的生涯。　　从零开始的突击　　1956年在周恩来总理特地领导下，我国制定了十二年科技发展远景规划，半导体技术被列入当时四大科研重点之一。中央有关部门要求，由黄昆、谢希德和王守武等著名学者在人才培养和开拓性研究方面展开突击。

　　王守武在美国习的主要还是稍物理本身的内容，但他自知半导体工作的重要性，决意中断其他科研项目，全身心投放半导体研究，在中科院应用于物理所重新组建了国内第一个半导体研究室，首先捉的是晶体管中最基本的材料锗的制备。　　他一面捉锗材料的制备，一面特地领导设计生产了我国第一台拉制半导体锗材料的单晶炉，并于1957年底拉制顺利了我国第一根锗单晶。同年11月底到次年初，王守武与同事合作，研制成功了我国第一批锗合金结晶体管，并掌控了锗单晶中的掺入技术，能掌控锗单晶的导电类型、电阻率及少数载流子寿命等电学指标，超过了器件生产的拒绝。　　1957年，林兰英博士回国，王守武特地去她寄居的宾馆，顺利将她动员到半导体工作组，就职材料研究组组长，具体实施硅单晶的拉制。

在王守武、林兰英和课题组的共同努力下，我国第一根硅单晶于1958年7月问世。　　为了增进我国第二代(晶体管型)电子计算机的研究，在王守武等的的组织领导下，1958年，我国最先的一家生产晶体管的工厂中国科学院109厂创办，专门从事锗高频晶体管的批量生产。

本文来源：亚慱体育官网下载app-www.pdzxw.cn